真空懸浮熔煉爐由爐蓋、爐體、爐底、坩堝回轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)、真空系統(tǒng)及中頻電源控制系統(tǒng)等組成?！t蓋、爐體及爐底均采用雙層水冷結(jié)構(gòu)，保持爐殼溫度不超過(guò)60℃。爐蓋打開(kāi)方式為手動(dòng)，爐蓋上設(shè)有觀察孔及擋板，為便于熔化過(guò)程中添加合金元素，爐蓋上特設(shè)有合金加料器。爐體內(nèi)有一感應(yīng)線圈，通過(guò)手動(dòng)轉(zhuǎn)動(dòng)爐外手柄可輕松將坩堝內(nèi)熔液澆入錠模，錠?？稍O(shè)計(jì)成水冷形式。坩堝上部設(shè)有一測(cè)溫裝置。
 

　　真空懸浮熔煉爐的特點(diǎn)和功能：
 

　　1、在熔煉過(guò)程中可在不破壞熔煉室真空情況下進(jìn)行測(cè)溫、取樣、搗料、觀察、補(bǔ)加料和合金成份調(diào)整等。與此同時(shí)可通過(guò)充氣閥充入惰性氣體以控制爐內(nèi)的壓力和氣氛。澆鑄可澆一錠和多錠及裝入預(yù)熱保溫錠模、水冷錠模、砂型箱等以及進(jìn)行澆鑄。
 

　　2、加熱電源可采用IGBT中頻電源，IGBT中頻電源是采用串聯(lián)諧振式的中頻感應(yīng)電源，逆變器件為新型IGBT模塊，其主要優(yōu)點(diǎn)有以下幾下方面：
 

　?、倌孀冸妷焊?，電流小，線路損耗小，此部分比傳統(tǒng)可控硅中頻電源可節(jié)能10%左右。
 

　?、诠β室驍?shù)高，功率因數(shù)始終大于0.9，無(wú)功損耗小，此部分比傳統(tǒng)可控硅中頻電源節(jié)能3%~5%。
 

　　③高次諧波干擾?。篒GBT晶體管中頻電源的整流部分采用半可控整流方式，直流電壓始終工作在高，不調(diào)導(dǎo)通角，所以它不會(huì)產(chǎn)生高次諧波，不會(huì)污染電網(wǎng)，不會(huì)干擾工廠內(nèi)其他電子設(shè)備運(yùn)行。
 

　　④可恒功率輸出：可控硅中頻電源采用調(diào)壓調(diào)功，而IGBT晶體管中頻電源采用調(diào)頻調(diào)功，不受爐料多少和爐襯厚薄的影響，在整個(gè)熔煉過(guò)程中保持恒功率輸出，尤其是生產(chǎn)不銹鋼、銅、鋁等不導(dǎo)磁物質(zhì)時(shí)，更顯示它的*性，熔化速度快，減少爐料元素?zé)龘p少，降低成本。